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　　中新網9月3日電 日前，全球移動存儲領導廠商朗科公司發布的一款新品閃存盤U217引起了人們的廣泛關注。它的連續讀寫速度達到了32MB/sec、21MB/sec，隨機讀寫速度達到了32MB/sec、12MB/sec，后者更是全球著名品牌同類產品的4倍左右。

　　據悉，2008年閃存盤產品平均讀寫速度在10MB/sec左右(說明：一般讀為12~18,寫5~8)，而這一速度通常指的是連續讀寫大小達100MB以上的單一文件的速度，如果將幾十上百個文件存放在一個文件夾中，然后拷貝這一文件夾，其拷貝速度將急劇下降4～5倍，只有1~3MB/sec左右——這就是隨機寫速度。

　　“朗科U217的最大設計容量為128GB，這對閃存盤來說是一個全新的時代，這個時代對讀寫速度的要求與以往截然不同。”有業內分析人士表示，它不僅要求閃存盤的連續讀寫速度要足夠快，還要求其隨機讀寫速度也能跟上“擴容”的步伐。

　　朗科U217通過獨特的技術手段，成功地將閃存盤隨機寫速度提高到12 MB/sec，是全球第一款成功跨越百GB容量速度門檻的閃存盤。

　　據悉，朗科三大閃存技術主要通過“閃存芯片的控制加速、雙通道倍速和nSpeed提速技術”三種方法來實現速度的顯著提升。其中，新的閃存控制技術可以讓閃存盤讀寫速度提高30～40%。而雙通道技術則直接將閃存盤的讀寫技術提高到兩倍。

　　尤其值得一提的是nSpeed技術。據朗科技術人員介紹，當前的操作系統都是針對傳統硬盤設計的，包含很多優化傳統機械硬盤的機制。而這些優化機制對閃存盤是無效甚至有害，從而使閃存盤不能100%地發揮出應有的性能。

　　“朗科nSpeed加速技術正是為優化閃存盤性能而誕生，它在目前的操作系統下，使閃存盤成功突破主機端的限制，將閃存的讀寫速度垂直飆升。”朗科相關技術人員表示。

　　IT產業總是以一款新產品來標志一個時代的開始，比如P4、winXP，液晶顯示器、甚至光電鼠、無線鼠標……，有行業人士表示；“就具備實用價值的百GB容量的閃存盤來說，朗科U217似乎也扮演了類似的角色”。